UGB5JT-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | UGB5JT-E3/45 |
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Hersteller / Marke: | |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 5 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB (D²PAK) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 50 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tube |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 30 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 5A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | UGB5 |
UGB5JT-E3/45 Einzelheiten PDF [English] | UGB5JT-E3/45 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB
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BRIDGE RECT 1P 10.5KV 1A UGB-1
BRIDGE RECT 1P 4.8KV 1.3A UGB-1
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() UGB5JT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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